【供應(yīng)】TIS75_J35Z
- 產(chǎn)品型號(hào):TIS75_J35Z
- 生產(chǎn)廠家: Fairchild Semiconductor
- 產(chǎn)品規(guī)格:TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體
- 供應(yīng)商:查看供應(yīng)商>>
美元參考價(jià)格
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暫時(shí)無(wú)參考價(jià)
- 向供應(yīng)商詢價(jià)>>
詳細(xì)信息
標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
系列:-
包裝:散裝
不同 Vds (Vgs=0) 時(shí)的電流 - 漏極 (Idss):8mA @ 15V
漏源極電壓 (Vdss):-
漏極電流 (Id) - 最大值:-
FET 類型:N 溝道
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):30V
不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):800mV @ 4nA
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):18pF @ 10V(VGS)
電阻 - RDS(開(kāi)):60 歐姆
安裝類型:通孔
封裝:TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體
供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3
功率 - 最大值:350mW
系列:-
包裝:散裝
不同 Vds (Vgs=0) 時(shí)的電流 - 漏極 (Idss):8mA @ 15V
漏源極電壓 (Vdss):-
漏極電流 (Id) - 最大值:-
FET 類型:N 溝道
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):30V
不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):800mV @ 4nA
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):18pF @ 10V(VGS)
電阻 - RDS(開(kāi)):60 歐姆
安裝類型:通孔
封裝:TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體
供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3
功率 - 最大值:350mW
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TIS75-J35ZFairchildSemic..TO-92-3(),TO..2023+6000品質(zhì)保證,價(jià)格優(yōu)惠
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TIS75_J35ZonsemiTO-92-32023+500全新原裝現(xiàn)貨質(zhì)量保證
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TIS75-J35ZFairchildSemic..TO-226-3TO-9..2023+1250全新進(jìn)口原裝現(xiàn)貨品質(zhì)保證