APT45GP120JDQ2參數(shù):IGBT 1200V 75A 329W SOT227
類別:半導(dǎo)體模塊-IGBT產(chǎn)品目錄繪圖: SOT-227Top標(biāo)準(zhǔn)包裝:10系列:POWERMOS7®IGBT類型:PT配置:單一電壓-集射極擊穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic時的?Vce(on):3.9V@15V,45A電流-集電極(Ic)(最大值):75A電流-集電極截止(最大值):750µA不同?Vce時的輸入電容(Cies):4nF@25V功率-最大值:329W輸入:標(biāo)準(zhǔn)NTC熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝:ISOTOP供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP?