BSO612CV參數(shù):MOSFET COMPL N+P 60V 2A 8-SOIC
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品變化通告: ProductDiscontinuation22/Feb/2008標準包裝:2,500系列:SIPMOS®包裝:帶卷(TR)FET類型:N和P溝道FET功能:標準漏源極電壓(Vdss):60V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):3A,2A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):120毫歐@3A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):4V@20µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):15.5nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):340pF@25V功率-最大值:2W安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm寬)供應(yīng)商器件封裝:P-DSO-8