BSO615N
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BSO615N參數(shù)：MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation22/Feb/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：SIPMOS®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：2.6A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：150毫歐@2.6A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@20µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：20nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：380pF@25V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：PG-DSO-8