BSO615N參數(shù)：MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation22/Feb/2008標準包裝：2,500系列：SIPMOS®包裝：帶卷(TR)FET類型：2個N溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：2.6A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：150毫歐@2.6A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@20µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：20nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：380pF@25V功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：PG-DSO-8
INFINEONSOP82023+93350全新原廠原裝現(xiàn)貨
